650 V、1200 V和1700 V CoolSiC™ MOSFET分立器件非常适合硬开关和谐振开关拓扑

英飞凌CoolSiC™ MOSFET立足于一流的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现应用中的最低损耗和运行中的最高可靠性。分立式CoolSiC™ MOSFET产品组合提供650 V、1200 V和1700 V电压等级，导通电阻额定值为7 mΩ至1000 mΩ不等。CoolSiC™沟槽技术可实现灵活的参数设置，用于实施各自产品组合中的具体特性，譬如，栅源电压、雪崩技术参数、短路能力或适用于硬整流的内部体二极管等。

我们的650 V CoolSiC™ MOSFET系列可优化大电流和低电容条件下的开关性能，适用于各种工业应用场合，包括服务器、电信设备、电机驱动等。1200 V MOSFET系列适用于工业和汽车领域，如车载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源（UPS）。最后，1700 V CoolSiC™ MOSFET具有反激式拓扑结构，可用于储能系统、电动汽车快速充电、电源管理（SMPS) 和太阳能系统解决方案。

采用分立封装的CoolSiC™ MOSFET非常适合硬开关和谐振开关拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器等。其抵御有害寄生导通效应的出色能力，树立了低动态损耗方面的标杆，即使在桥接拓扑中的零伏关断电压下也是如此。我们的TO-和SMD产品还配有开尔文源引脚，用于优化开关性能。

我们利用一系列精选驱动IC产品来使得碳化硅分立模块趋于完备，充分满足超快碳化硅MOSFET开关功能的需求。总之，CoolSiC™ MOSFET和EiceDRIVER™栅极驱动IC利用了碳化硅技术的优势：效率得到提升，节省空间、重量减轻，零件数量减少，系统可靠性增强。

亮点

CoolSiC™ MOSFET拥有快速内部续流二极管，因而可在无需额外二极管的情况下实现硬开关。由于是单极性，尤其在部分负载条件下，MOSFET具有与温度无关的极低开关损耗及导通损耗。

英飞凌独特的1200 V和650 V CoolSiC™ MOSFET，非常适合LLC和ZVS等硬开关和谐振开关拓扑，可以像IGBT或CoolMOS™一样选用标准驱动。得益于先进的沟槽设计，最优的开关损耗和导通损耗，最高的跨导电平（增益），Vth = 4 V的阈值电压，以及卓越的短路能力，这些器件具有绝佳的门极氧化层可靠性。

SiC MOSFET 1200 V门极驱动芯片

CoolSiC™ MOSFET等超快速开关器件的完美使用需要性能优异的门极驱动。因此，建议选择基于英飞凌无铁芯变压器技术的隔离驱动EiceDRIVER™芯片