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SM8S33A-E3/2DGITR-ND

型号 :
SM8S33A-E3/2D
制造商 :
Vishay Semiconductor Diodes Division
简介 :
TVS DIODE 33VWM 59VC DO218AB
PDF :
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库存 :
800 
单价 :
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数量 : 加入询价
不同频率时的电容 -
供应商器件封装 DO-218AB
功率 - 峰值脉冲 6600W(6.6kW)
单向通道 1
双向通道 -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 DO-218AB
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
应用 通用
电压 - 击穿(最小值) 36.7V
电压 - 反向关态(典型值) 33V
电压 - 箝位(最大值)@ Ipp 59V
电流 - 峰值脉冲(10/1000µs) 112A
电源线路保护
类型 齐纳
系列 PAR®
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