服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> SSM3K329R,LF

SSM3K329RLFCT-ND

型号 :
SSM3K329R,LF
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
PDF :
PDF
库存 :
25074 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 逻辑电平栅极,1.8V 驱动
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 123pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 1.5nC @ 4V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 126 毫欧 @ 1A,4V
供应商器件封装 SOT-23F
功率 - 最大值 1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-3 扁平引线
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.5A(Ta)
系列 -
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]