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RSR020N06TLTR-ND

型号 :
RSR020N06TL
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
PDF :
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库存 :
9000 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平栅极,4V 驱动
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 180pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 4.9nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 2A,10V
供应商器件封装 TSMT3
功率 - 最大值 1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta)
系列 -
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