2SK3065T100 - 上海强芯电子技术有限公司

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2SK3065T100CT-ND

型号 :: 2SK3065T100

制造商 :: Rohm Semiconductor

简介 :: MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

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库存 :: 15463

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2SK3065T100

FET 功能	逻辑电平栅极，2.5V 驱动
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	160pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	320 毫欧 @ 1A，4V
供应商器件封装	MPT3
功率 - 最大值	500mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-243AA
漏源极电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2A（Ta）
系列	-

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