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TK10P60WRVQTR-ND

型号 :
TK10P60W,RVQ
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
PDF :
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库存 :
2000 
单价 :
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FET 功能 超级结
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 500µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 700pF @ 300V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 20nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 430 毫欧 @ 4.9A,10V
供应商器件封装 DPAK
功率 - 最大值 80W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.7A(Ta)
系列 -
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