服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> EPC2015

917-1019-2-ND

型号 :
EPC2015
制造商 :
EPC
简介 :
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
PDF :
PDF
库存 :
1000 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 GaNFET N 通道,氮化镓
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 9mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1100pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 10.5nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 33A,5V
供应商器件封装 模具剖面(11 焊条)
功率 - 最大值 -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 模具
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 33A(Ta)
系列 eGaN®
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]