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C2M0280120D-ND

型号 :
C2M0280120D
制造商 :
Cree Inc
简介 :
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
PDF :
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库存 :
471 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 SiCFET N 通道,碳化硅
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 1.25mA(标准)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 259pF @ 1000V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 20.4nC @ 20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 370 毫欧 @ 6A,20V
供应商器件封装 TO-247-3
功率 - 最大值 62.5W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
漏源极电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Tc)
系列 Z-FET™
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