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SSM3J36MFVL3FTR-ND

型号 :
SSM3J36MFV,L3F
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
PDF :
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库存 :
8000 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 43pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 1.2nC @ 4V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.31 欧姆 @ 100mA,4.5V
供应商器件封装 VESM
功率 - 最大值 150mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-723
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 330mA(Ta)
系列 -
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