2N7002T-7-F - 上海强芯电子技术有限公司

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2N7002T-FDITR-ND

型号 :: 2N7002T-7-F

制造商 :: Diodes Incorporated

简介 :: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

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库存 :: 2133000

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2N7002T-7-F

FET 功能	标准
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	50pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	7.5 欧姆 @ 50mA，5V
供应商器件封装	SOT-523
功率 - 最大值	150mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SOT-523
漏源极电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	115mA（Ta）
系列	-

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