SSM3J46CTB(TPL3) - 上海强芯电子技术有限公司

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SSM3J46CTB(TPL3)TR-ND

型号 :: SSM3J46CTB(TPL3)

制造商 :: Toshiba Semiconductor and Storage

简介 :: MOSFET P-CH 20V 2A CST3B

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库存 :: 10000

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SSM3J46CTB(TPL3)

FET 功能	逻辑电平栅极，1.5V 驱动
FET 类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	290pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	4.7nC @ 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	103 毫欧 @ 1.5A，4.5V
供应商器件封装	CST3B
功率 - 最大值	1W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	3-SMD，无引线
漏源极电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2A（Ta）
系列	-

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