CSD16323Q3 - 上海强芯电子技术有限公司

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296-24522-1-ND

型号 :: CSD16323Q3

制造商 :: Texas Instruments

简介 :: MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON

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库存 :: 19551

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CSD16323Q3

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	1300pF @ 12.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	8.4nC @ 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	4.5 毫欧 @ 24A，8V
供应商器件封装	8-SON
功率 - 最大值	3W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-TDFN 裸露焊盘
漏源极电压（Vdss）	25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	21A（Ta），60A（Tc）
系列	NexFET™

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