DN3525N8-G - 上海强芯电子技术有限公司

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DN3525N8-GCT-ND

型号 :: DN3525N8-G

制造商 :: Microchip Technology

简介 :: MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3

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库存 :: 25092

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DN3525N8-G

FET 功能	耗尽模式
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	350pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	-
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	6 欧姆 @ 200mA，0V
供应商器件封装	TO-243AA（SOT-89）
功率 - 最大值	1.6W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-243AA
漏源极电压（Vdss）	250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	360mA（Tj）
系列	-

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