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FCD9N60NTMDKR-ND

型号 :
FCD9N60NTM
制造商 :
Fairchild Semiconductor
简介 :
MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
PDF :
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库存 :
5797 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1000pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 17.8nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 385 毫欧 @ 4.5A,10V
供应商器件封装 D-Pak
功率 - 最大值 92.6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc)
系列 SupreMOS™
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