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TK65E10N1S1X-ND

型号 :
TK65E10N1,S1X
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N CH 100V 148A TO220
PDF :
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库存 :
4107 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 5400pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 81nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.8 毫欧 @ 32.5A,10V
供应商器件封装 TO-220-3
功率 - 最大值 192W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 148A(Ta)
系列 -
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