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TK31V60XLQDKR-ND

型号 :
TK31V60X,LQ
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
PDF :
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库存 :
1354 
单价 :
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FET 功能 超级结
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1.5mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 3000pF @ 300V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 65nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 98 毫欧 @ 9.4A,10V
供应商器件封装 5-DFN(8x8)
功率 - 最大值 240W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 4-VSFN 裸露焊盘
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30.8A(Ta)
系列 -
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