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DMN1150UFB-7BDIDKR-ND

型号 :
DMN1150UFB-7B
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
PDF :
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库存 :
15789 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 106pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 1.5nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 1A,4.5V
供应商器件封装 3-DFN1006(1.0x0.6)
功率 - 最大值 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-UFDFN
漏源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.41A(Ta)
系列 -
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