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BSS83P H6327TR-ND

型号 :
BSS83P H6327
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET P-CH 60V 330mA SOT23
PDF :
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库存 :
48000 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 80µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 78pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 3.57nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2 欧姆 @ 330mA,10V
供应商器件封装 PG-SOT23-3
功率 - 最大值 360mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 330mA(Ta)
系列 SIPMOS®
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