NTJS3151PT1G - 上海强芯电子技术有限公司

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NTJS3151PT1GOSCT-ND

型号 :: NTJS3151PT1G

制造商 :: ON Semiconductor

简介 :: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

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库存 :: 58683

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NTJS3151PT1G

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	400mV @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	850pF @ 12V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	8.6nC @ 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	60 毫欧 @ 3.3A，4.5V
供应商器件封装	SC-88/SC70-6/SOT-363
功率 - 最大值	625mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
漏源极电压（Vdss）	12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	2.7A（Ta）
系列	-

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