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网站首页 > 产品> PMZB350UPE,315

568-10449-2-ND

型号 :
PMZB350UPE,315
制造商 :
NXP Semiconductors
简介 :
MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
PDF :
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库存 :
10000 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 127pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 1.9nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 450 毫欧 @ 300mA,4.5V
供应商器件封装 3-DFN1006B(0.6x1)
功率 - 最大值 360mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-XFDFN
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1A(Ta)
系列 -
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