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SSM6J213FE(TE85LFCT-ND

型号 :
SSM6J213FE(TE85L,F
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
PDF :
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库存 :
8525 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 290pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 4.7nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 103 毫欧 @ 1.5A,4.5V
供应商器件封装 ES6
功率 - 最大值 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.6A(Ta)
系列 -
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