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DMN32D2LFB4DIDKR-ND

型号 :
DMN32D2LFB4-7
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN
PDF :
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库存 :
40755 
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 39pF @ 3V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.2 欧姆 @ 100mA,4V
供应商器件封装 3-DFN1006H4(1.0x0.6)
功率 - 最大值 350mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-XFDFN
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 300mA(Ta)
系列 -
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