SI4800BDY-T1-E3 - 上海强芯电子技术有限公司

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SI4800BDY-T1-E3DKR-ND

型号 :: SI4800BDY-T1-E3

制造商 :: Vishay Siliconix

简介 :: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

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库存 :: 7983

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SI4800BDY-T1-E3

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.8V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	13nC @ 5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	18.5 毫欧 @ 9A，10V
供应商器件封装	8-SO
功率 - 最大值	1.3W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
漏源极电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	6.5A（Ta）
系列	TrenchFET®

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