服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3TR-ND

型号 :
SI7129DN-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8
PDF :
PDF
库存 :
6000 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 3345pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 71nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 11.4 毫欧 @ 14.4A,10V
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
功率 - 最大值 52.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc)
系列 TrenchFET®
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]