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RQ3E130MNTB1DKR-ND

型号 :
RQ3E130MNTB1
制造商 :
Rohm Semiconductor
简介 :
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
PDF :
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库存 :
8990 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 840pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 14nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8.1 毫欧 @ 13A,10V
供应商器件封装 8-HSMT(3.2x3)
功率 - 最大值 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerVDFN
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta)
系列 -
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