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FQB30N06LTMCT-ND
- 型号 :
- FQB30N06LTM
- 制造商 :
- Fairchild Semiconductor
- 简介 :
- MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
- PDF :
- 库存 :
- 3113
- 单价 :
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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 1040pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 20nC @ 5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 35 毫欧 @ 16A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 功率 - 最大值 | 3.75W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 32A（Tc） |
| 系列 | QFET® |
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