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NVD5117PLT4GOSTR-ND

型号 :
NVD5117PLT4G
制造商 :
ON Semiconductor
简介 :
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
PDF :
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库存 :
2500 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 4800pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 85nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 16 毫欧 @ 29A,10V
供应商器件封装 DPAK-3
功率 - 最大值 4.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Ta),61A(Tc)
系列 -
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