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网站首页 > 产品> EPC2012C

917-1084-2-ND

型号 :
EPC2012C
制造商 :
EPC
简介 :
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
PDF :
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库存 :
8000 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 GaNFET N 通道,氮化镓
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 140pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 1.3nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 3A,5V
供应商器件封装 模具剖面(4 焊条)
功率 - 最大值 -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 模具
漏源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A(Ta)
系列 eGaN®
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