EPC2012C - 上海强芯电子技术有限公司

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917-1084-2-ND

型号 :: EPC2012C

制造商 :: EPC

简介 :: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE

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库存 :: 8000

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EPC2012C

FET 功能	逻辑电平门
FET 类型	GaNFET N 通道，氮化镓
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	140pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	1.3nC @ 5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	100 毫欧 @ 3A，5V
供应商器件封装	模具剖面（4 焊条）
功率 - 最大值	-
安装类型	表面贴装
封装/外壳	模具
漏源极电压（Vdss）	200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	5A（Ta）
系列	eGaN®

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