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BSC082N10LS GCT-ND

型号 :
BSC082N10LS G
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
PDF :
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库存 :
9987 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 110µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 7400pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 104nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8.2 毫欧 @ 100A,10V
供应商器件封装 PG-TDSON-8
功率 - 最大值 156W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13.8A(Ta),100A(Tc)
系列 OptiMOS™
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