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BSC014N06NSDKR-ND

型号 :
BSC014N06NS
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8
PDF :
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库存 :
12781 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 120µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 6500pF @ 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 89nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.45 毫欧 @ 50A,10V
供应商器件封装 PG-TDSON-8
功率 - 最大值 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Ta),100A(Tc)
系列 OptiMOS™
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