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IPB016N06L3 GCT-ND
- 型号 :
- IPB016N06L3 G
- 制造商 :
- Infineon Technologies
- 简介 :
- MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
- PDF :
- 库存 :
- 5381
- 单价 :
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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.2V @ 196µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 28000pF @ 30V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 166nC @ 4.5V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1.6 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7 |
| 功率 - 最大值 | 250W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 180A（Tc） |
| 系列 | OptiMOS™ |
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