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IPT059N15N3ATMA1TR-ND
- 型号 :
- IPT059N15N3ATMA1
- 制造商 :
- Infineon Technologies
- 简介 :
- MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
- PDF :
- 库存 :
- 4000
- 单价 :
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| FET 功能 | 标准 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 7200pF @ 75V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 92nC @ 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 5.9毫欧 @ 150A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-HSOF-8-1 |
| 功率 - 最大值 | 375W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerSFN |
| 漏源极电压（Vdss） | 150V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 155A（Tc） |
| 系列 | OptiMOS™ |
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