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IPB200N25N3 GCT-ND
- 型号 :
- IPB200N25N3 G
- 制造商 :
- Infineon Technologies
- 简介 :
- MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
- PDF :
- 库存 :
- 3478
- 单价 :
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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 7100pF @ 100V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 86nC @ 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 20 毫欧 @ 64A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 功率 - 最大值 | 300W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 漏源极电压（Vdss） | 250V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 64A（Tc） |
| 系列 | OptiMOS™ |
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