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网站首页 > 产品> STB45N65M5

497-12940-2-ND

型号 :
STB45N65M5
制造商 :
STMicroelectronics
简介 :
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
PDF :
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库存 :
2000 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 3375pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 91nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 78 毫欧 @ 19.5A,10V
供应商器件封装 D²PAK
功率 - 最大值 208W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
漏源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Tc)
系列 MDmesh™ V
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