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BSS670S2L H6327DKR-ND
- 型号 :
- BSS670S2L H6327
- 制造商 :
- Infineon Technologies
- 简介 :
- MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
- PDF :
- 库存 :
- 26647
- 单价 :
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| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 2.7µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 75pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 2.26nC @ 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 650 毫欧 @ 270mA，10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 功率 - 最大值 | 360mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源极电压（Vdss） | 55V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 540mA（Ta） |
| 系列 | OptiMOS™ |
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