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SIA425EDJ-T1-GE3DKR-ND

型号 :
SIA425EDJ-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
PDF :
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库存 :
3929 
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) -
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 4.2A,4.5V
供应商器件封装 PowerPAK® SC-70-6 单
功率 - 最大值 15.6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.5A(Tc)
系列 TrenchFET®
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