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DMN10H220LE-13DICT-ND

型号 :
DMN10H220LE-13
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
PDF :
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库存 :
3241 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 401pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 8.3nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 220 毫欧 @ 1.6A,10V
供应商器件封装 SOT-223
功率 - 最大值 1.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
漏源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2.3A(Ta)
系列 -
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