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BSC22DN20NS3 GTR-ND

型号 :
BSC22DN20NS3 G
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
PDF :
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库存 :
15000 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 13µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 430pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 5.6nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 225 毫欧 @ 3.5A,10V
供应商器件封装 PG-TDSON-8
功率 - 最大值 34W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
漏源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Tc)
系列 OptiMOS™
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