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FOD8383R2VTR-ND

型号 :
FOD8383R2V
制造商 :
Fairchild Semiconductor
简介 :
HIGH SPEED 10MM MOSFET/IGBT GATE
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
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上升/下降时间(典型值) 35ns,25ns
传播延迟 tpLH / tpHL(最大值) 210ns,210ns
供应商器件封装 5-SOP
共模瞬态抗扰度(最小值) 35kV/µs
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-SOIC(0.362",9.20mm 宽)5 根引线
工作温度 -40°C ~ 100°C
技术 光学耦合
电压 - 正向(Vf)(典型值) 1.43V
电压 - 电源 15 V ~ 30 V
电压 - 隔离 5000Vrms
电流 - DC 正向(If) 25mA
电流 - 峰值输出 3A
电流 - 输出高,低 2.5A,2.5A
系列 OPTOPLANAR®
脉宽失真(最大) 65ns
认可 IEC/EN/DIN,UR
通道数 1
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