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SSM3J129TU(TE85L)DKR-ND

型号 :: SSM3J129TU(TE85L)

制造商 :: Toshiba Semiconductor and Storage

简介 :: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM

PDF :: PDF

库存 :: 2925

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SSM3J129TU(TE85L)

FET 功能	逻辑电平栅极，1.5V 驱动
FET 类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）	640pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）	8.1nC @ 4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	46 毫欧 @ 3A，4.5V
供应商器件封装	UFM
功率 - 最大值	500mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	3-SMD，扁平引线
漏源极电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	4.6A（Ta）
系列	-

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