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SSM3J129TU(TE85L)DKR-ND

型号 :
SSM3J129TU(TE85L)
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
PDF :
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库存 :
2925 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平栅极,1.5V 驱动
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 640pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 8.1nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 46 毫欧 @ 3A,4.5V
供应商器件封装 UFM
功率 - 最大值 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-SMD,扁平引线
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.6A(Ta)
系列 -
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