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SPB18P06PGINTR-ND

型号 :
SPB18P06P G
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
PDF :
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库存 :
5000 
单价 :
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FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 860pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 28nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 130 毫欧 @ 13.2A,10V
供应商器件封装 PG-TO263-2
功率 - 最大值 81.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
漏源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18.7A(Ta)
系列 SIPMOS®
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