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IPB117N20NFDATMA1-ND

型号 :
IPB117N20NFDATMA1
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
PDF :
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库存 :
916 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 270µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 6650pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 87nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 11.7 毫欧 @ 84A,10V
供应商器件封装 TO-263-3
功率 - 最大值 300W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
漏源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 84A(Tc)
系列 OptiMOS™
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