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SIB417AEDK-T1-GE3DKR-ND

型号 :
SIB417AEDK-T1-GE3
制造商 :
Vishay Siliconix
简介 :
MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
PDF :
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库存 :
8475 
单价 :
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数量 : 加入询价
FET 功能 标准
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 878pF @ 4V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 18.5nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 32 毫欧 @ 3A,4.5V
供应商器件封装 PowerPAK® SC-75-6L 单
功率 - 最大值 13W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK® SC-75-6L
漏源极电压(Vdss) 8V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9A(Tc)
系列 TrenchFET®
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