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BSC026N02KS GDKR-ND

型号 :
BSC026N02KS G
制造商 :
Infineon Technologies
简介 :
MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
PDF :
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库存 :
35238 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 200µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 7800pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 52.7nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.6 毫欧 @ 50A,4.5V
供应商器件封装 PG-TDSON-8(5.15x6.15)
功率 - 最大值 78W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerTDFN
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Ta),100A(Tc)
系列 OptiMOS™
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