服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> SSM6J08FUTE85LF

SSM6J08FUTE85LFCT-ND

型号 :
SSM6J08FUTE85LF
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET P-CH 20V 1.3A US6
PDF :
PDF
库存 :
800 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入询价
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 370pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) -
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 180 毫欧 @ 650mA,4V
供应商器件封装 US6
功率 - 最大值 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
漏源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta)
系列 -
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]