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TPCF8101(TE85LFMTR-ND

型号 :
TPCF8101(TE85L,F,M
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
PDF :
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库存 :
8000 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平栅极,1.8V 驱动
FET 类型 MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 200µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 1600pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 18nC @ 5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 28 毫欧 @ 3A,4.5V
供应商器件封装 VS-8(2.9x1.9)
功率 - 最大值 -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD,扁平引线
漏源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta)
系列 -
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