服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> SSM6H19NU,LF

SSM6H19NULFCT-ND

型号 :
SSM6H19NU,LF
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
PDF :
PDF
库存 :
2990 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 130pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 2.2nC @ 4.2V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 185 毫欧 @ 1A,8V
供应商器件封装 6-UDFN(2x2)
功率 - 最大值 1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘
漏源极电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 2A(Ta)
系列 -
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]