服务热线:18616809885
网站首页 > 产品> DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7DICT-ND

型号 :
DMN1045UFR4-7
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3
PDF :
PDF
库存 :
2965 
单价 :
注册会员查看价格
数量 : 加入购物车
FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 375pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 4.8nC @ 4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 3.2A,4.5V
供应商器件封装 X2-DFN1010-3
功率 - 最大值 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 3-XFDFN
漏源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.2A(Ta)
系列 -
没有评论
您可以在此与其他用户分享您的想法 ( 字数限制:不少于5个字符 )
您将以游客身份发表评论,如果您是本站会员,可以 [ 点此登录 ]  [ 点此注册 ]