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DMN30H4D0LFDE-7DICT-ND

型号 :
DMN30H4D0LFDE-7
制造商 :
Diodes Incorporated
简介 :
MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
PDF :
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库存 :
2947 
单价 :
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FET 功能 逻辑电平门
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 187.3pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 7.6nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4 欧姆 @ 300mA,10V
供应商器件封装 U-DFN2020-6
功率 - 最大值 630mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘
漏源极电压(Vdss) 300V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 550mA(Ta)
系列 -
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