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TK12V60WLVQCT-ND

型号 :
TK12V60W,LVQ
制造商 :
Toshiba Semiconductor and Storage
简介 :
MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
PDF :
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库存 :
2344 
单价 :
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FET 功能 超级结
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 600µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss) 890pF @ 300V
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg) 25nC @ 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 5.8A,10V
供应商器件封装 5-DFN(8x8)
功率 - 最大值 104W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 4-VSFN 裸露焊盘
漏源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11.5A(Ta)
系列 -
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